FF225R12ME4BOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 320A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 90,210€
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