FF450R07ME4B11BOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 560 A, 1.55 V, 1.45 kW, 650 V, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 560 A, 1.55 V, 1.45 kW, 650 V, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 560A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 113,490€
Stock (packs) 8
Entrega 7 días