FF50R12RT4HOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 285 W, 1.2 kV, Module

1 variante disponible.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 285 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 100
Precio unitario 37,355€
Stock (packs) 23
Entrega 7 días