FF650R17IE4D_B2 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module
2 variantes disponibles.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 650A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 |
| Precio unitario | 485€ |
| Entrega | >30 días |
Dual-IGBT 1700V 650A 2,0V...
Tags: Semiconductors, High Power Modules, High Power Modules.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 3 |
| Precio unitario | 645,244€ |
| Stock (packs) | Sí |
| Entrega | 30 días |