FF900R12IE4BOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module

1 variante disponible.

Otros nombres: Módulo IGBT, FF900R12IE4BOSA1, N-Canal, 900 MHZ, 1.200 V, PrimePACK2, 10-Pines Serie.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 5
Precio unitario 434,560€
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