FFSH20120A-F085 | Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-247
1 variante disponible.
Otros nombres: Diodo, FFSH20120A-F085, 30A, 1200V, TO-247, 2-Pines, Schottky SiC.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-247
Fabricado por: On Semiconductor
Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV Corriente Directa Continua If: 20A
Tags: Semiconductores - Discretos, Diodos, Diodos Schottky, Diodos Schottky de Carburo de Silicio.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 250 |
| Precio unitario | 10,437€ |
| Stock (packs) | 448 |
| Entrega | 7 días |