FGA60N65SMD | Transistor Único IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pines
1 variante disponible.
Otros nombres: IGBT, FGA60N65SMD, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3PN, 3-Pines Simple.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor Único IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pines
Fabricado por: On Semiconductor
Corriente de Colector DC: 120A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V Disipación de Potencia Pd: 600W
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 2,056€ |
| Stock (packs) | 188 |
| Entrega | 7 días |