FGH60N60SFTU | Transistor Único IGBT, Propósito General, 120 A, 600 V, 378 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pines

2 variantes disponibles.

Transistor Único IGBT, Propósito General, 120 A, 600 V, 378 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pines

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

Corriente de Colector DC: 120A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V Disipación de Potencia Pd: 378W

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.

IGBT, FGH60N60SFTU, N-Canal, 120 A, 600 V, TO-247, 3-Pines

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.