FGH75N60UFTU | IGBT, FGH75N60UFTU, N-Canal, 150 A, 600 V, TO-247AB, 3-Pines

1 variante disponible.

Otros nombres: IGBT, FGH75N60UFTU, N-Canal, 150 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, Transistor Único IGBT, Propósito General, 150 A, 600 V, 452 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pines.

IGBT, FGH75N60UFTU, N-Canal, 150 A, 600 V, TO-247AB, 3-Pines

Fabricado por: Fairchild Semiconductor

Datasheet

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.