FGL35N120FTDTU | IGBT, FGL35N120FTDTU, N-Canal, 70 A, 1.200 V, TO-264, 3-Pines, 1MHz
1 variante disponible.
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IGBT, FGL35N120FTDTU, N-Canal, 70 A, 1.200 V, TO-264, 3-Pines, 1MHz
Fabricado por: On Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 25 |
| Precio unitario | 7,072€ |
| Entrega | 30 días |