FMB5551 | Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 160 V, 700 mW, 600 mA, 30 hFE, SuperSOT

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Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 160 V, 700 mW, 600 mA, 30 hFE, SuperSOT

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 700mW

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT).

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