FP35R12KT4B11BOSA1 | Módulo IGBT, FP35R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, Econo2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico

2 variantes disponibles.

Otros nombres: Módulo IGBT, FP35R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, ECONO2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico.

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Módulo IGBT, FP35R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, Econo2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 64,576€
Entrega >30 días

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 50
Precio unitario 65,553€
Stock (packs) 10
Entrega 7 días