FP35R12KT4B15BOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module

1 variante disponible.

Otros nombres: Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 67,687€
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