FP35R12W2T4BOMA1 | Módulo IGBT, FP35R12W2T4BOMA1, N-Canal, 54 A, 1.200 V, AG-EASY2B-1 Trifásico

2 variantes disponibles.

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Módulo IGBT, FP35R12W2T4BOMA1, N-Canal, 54 A, 1.200 V, AG-EASY2B-1 Trifásico

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 15
Precio unitario 36,621€
Entrega >30 días

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 54 A, 1.85 V, 215 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 54A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 50
Precio unitario 40,585€
Stock (packs) 44
Entrega 7 días