FP40R12KE3GBOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 55 A, 1.8 V, 210 W, 1.2 kV, Module

1 variante disponible.

Otros nombres: Módulo IGBT, FP40R12KE3GBOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FP40R12KE3GBOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 55 A, 1.8 V, 210 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 55A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 81,393€
Stock (packs) 4
Entrega 7 días