FP75R12KE3 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM

2 variantes disponibles.

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 5
Precio unitario 148,410€
Entrega >30 días

IGBT1839

Fabricado por: Infineon

3PH-PIM 1200V 75A EconoPIM2

Tags: Semiconductors, High Power Modules, High Power Modules.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 10
Precio unitario 213,342€
Stock (packs)
Entrega 30 días