FQA13N80-F109 | Transistor MOSFET, Canal N, 12.6 A, 800 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 V

2 variantes disponibles.

Transistor MOSFET, Canal N, 12.6 A, 800 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 V

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

MOSFET, FQA13N80_F109, N-Canal, 12.6 A, 800 V, 3-Pin, TO-3PN

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

El nuevo MOSFET planar QFET® de Fairchild Semiconductor utiliza una tecnología patentada avanzada para ofrecer el mejor rendimiento en funcionamiento de su clase en una amplia gama de aplicaciones, incluidas las fuentes de alimentación, PFC (corrección de factor de potencia), convertidores dc-dc, paneles de pantalla de plasma (PDP), balastos de iluminación y control de movimiento.Ofrecen una reducción de pérdida en funcionamiento al bajar la resistencia (RDS(on)), y una menor pérdida de conmutación al reducir la carga de compuerta (QG) y la capacitancia de salida (Coss). Mediante el uso de la avanzada tecnología del proceso QFET®, Fairchild puede ofrecer un factor de mérito (FOM) mejorado superior a los dispositivos MOSFET planar de la competencia.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.