FS25R12W1T4B11BOMA1 | Módulo IGBT, FS25R12W1T4B11BOMA1, N-Canal, 45 A, 1.200 V, AG-EASY1B-1 Trifásico

2 variantes disponibles.

Otros nombres: Módulo IGBT, FS25R12W1T4B11BOMA1, N-Canal, 45 A, 1.200 V, EASY1B, 22-Pines, 1MHZ Trifásico.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Módulo IGBT, FS25R12W1T4B11BOMA1, N-Canal, 45 A, 1.200 V, AG-EASY1B-1 Trifásico

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 24
Precio unitario 24,227€
Entrega >30 días

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 45 A, 1.85 V, 205 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 45A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 10
Precio unitario 28,993€
Stock (packs) 24
Entrega 7 días