FS30R06VE3BOMA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 34 A, 1.55 V, 88 W, 600 V, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 34 A, 1.55 V, 88 W, 600 V, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 34A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 17,450€
Stock (packs) 56
Entrega 7 días