FS30R06W1E3BOMA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 45 A, 1.55 V, 150 W, 600 V, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 45 A, 1.55 V, 150 W, 600 V, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 45A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
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Precio unitario 23,416€
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