FS450R12OE4BOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 660 A, 1.75 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module

1 variante disponible.

Otros nombres: Módulo IGBT, FS450R12OE4BOSA1, N-Canal, 450 A, 1.200 V, EconoPACK+, 29-Pines Trifásico.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 660 A, 1.75 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 660A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 5
Precio unitario 443,290€
Stock (packs) 23
Entrega 7 días