FS50R06W1E3 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.45 V, 205 W, 600 V, Module

2 variantes disponibles.

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.45 V, 205 W, 600 V, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 300
Precio unitario 26,287€
Entrega >30 días

IGBT2947

Fabricado por: Infineon

6-PACK 600V 50A EasyPACK1B

Tags: Semiconductors, High Power Modules, High Power Modules.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 24
Precio unitario 39,091€
Stock (packs)
Entrega 30 días