FS50R12KT4B11BOSA1 | Módulo IGBT, FS50R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 25-Pines, 1MHZ Trifásico

2 variantes disponibles.

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Módulo IGBT, FS50R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 25-Pines, 1MHZ Trifásico

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 61,654€
Entrega >30 días

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 50
Precio unitario 62,478€
Stock (packs) 11
Entrega 7 días