FS50R12W2T4_B11 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module

2 variantes disponibles.

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 335 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 50
Precio unitario 36,530€
Entrega >30 días

IGBT2722

Fabricado por: Infineon

SIXPACK 1200V 50A EasyPACK 2B

Tags: Semiconductors, High Power Modules, High Power Modules.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 15
Precio unitario 55,556€
Stock (packs)
Entrega 30 días