FZ800R12KE3HOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 1.2 kV, Module

1 variante disponible.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 800A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 135,800€
Entrega >30 días