GB10SLT12-220 | Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Silicio, Serie 1200V, Único, 1.2 kV, 10 A, 37 nC, TO-220AC
1 variante disponible.
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Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Silicio, Serie 1200V, Único, 1.2 kV, 10 A, 37 nC, TO-220AC
Fabricado por: Genesic Semiconductor
Rango de Producto: Serie 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Tags: Semiconductores - Discretos, Diodos, Diodos Schottky, Diodos Schottky de Carburo de Silicio.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 250 |
| Precio unitario | 8,361€ |
| Stock (packs) | 44 |
| Entrega | 7 días |