GD200HFY120C2S | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 1.2 kV, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Starpower

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 309A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 50
Precio unitario 59,413€
Stock (packs) 7
Entrega 7 días