HGT1S10N120BNST | Transistor: IGBT; 1,2kV; 17A; 298W; D2PAK
2 variantes disponibles.
Otros nombres: IGBT, HGT1S10N120BNST, N-Canal, 80 A, 1.200 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor: IGBT; 1,2kV; 17A; 298W; D2PAK
Fabricado por: ON SEMICONDUCTOR
Tags: Semiconductores, Transistores, Transistores y módulos IGBT, Transistores IGBT, Transistores IGBT SMD.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 500 |
| Precio unitario | 0,883€ |
| Stock (packs) | 366 |
| Entrega | >30 días |
Transistor Único IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pines
Fabricado por: On Semiconductor
Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.45V Disipación de Potencia Pd: 298W
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1.000 |
| Precio unitario | 1,174€ |
| Stock (packs) | 710 |
| Entrega | 7 días |