HGTD1N120BNS9A | Transistor: IGBT; 1200V; 2,7A; 60W; TO252AA
2 variantes disponibles.
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Transistor: IGBT; 1200V; 2,7A; 60W; TO252AA
Fabricado por: ON SEMICONDUCTOR
Tags: Semiconductores, Transistores, Transistores y módulos IGBT, Transistores IGBT, Transistores IGBT SMD.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 25 |
| Precio unitario | 0,320€ |
| Entrega | >30 días |
Transistor Único IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pines
Fabricado por: On Semiconductor
Corriente de Colector DC: 5.3A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.5V Disipación de Potencia Pd: 60W
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 000 |
| Precio unitario | 0,558€ |
| Stock (packs) | 26037 |
| Entrega | 7 días |