HGTG40N60B3 | IGBT, HGTG40N60B3, N-Canal, 70 A, 600 V, TO-247, 3-Pines

1 variante disponible.

Otros nombres: IGBT, HGTG40N60B3, N-Canal, 70 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple, Transistor Único IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.

IGBT, HGTG40N60B3, N-Canal, 70 A, 600 V, TO-247, 3-Pines

Fabricado por: Fairchild Semiconductor

Datasheet

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.