IDH02G120C5XKSA1 | Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ!™, Único, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220

1 variante disponible.

Otros nombres: Diodo, IDH02G120C5XKSA1, 11.8A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.3V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2A; 75W.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ!™, Único, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220

Fabricado por: Infineon

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV Corriente Directa Continua If: 11.8A

Tags: Semiconductores - Discretos, Diodos, Diodos Schottky, Diodos Schottky de Carburo de Silicio.

Entrega y precio
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Precio unitario 1,319€
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