IDH04SG60CXKSA1 | Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Único, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220
1 variante disponible.
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Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Único, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220
Fabricado por: Infineon
Rango de Producto: Serie thinQ 3G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V
Tags: Semiconductores - Discretos, Diodos, Diodos Schottky, Diodos Schottky de Carburo de Silicio.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 1,377€ |
| Entrega | >30 días |