IDH06G65C5XKSA1 | Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220

1 variante disponible.

Otros nombres: Diodo, IDH06G65C5XKSA1, 6A, 650V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.1V, Schottky SiC.

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Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220

Fabricado por: Infineon

Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V

Tags: Semiconductores - Discretos, Diodos, Diodos Schottky, Diodos Schottky de Carburo de Silicio.

Entrega y precio
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Precio unitario 1,114€
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