IDH10G65C5XKSA2 | Diodo, IDH10G65C5XKSA2, 10A, 650V, TO-220, 2-Pines
1 variante disponible.
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La gama Infineon thinQ!™ de 5 generación ofrece una nueva tecnología de oblea fina para diodos de barrera Schottky de SiC que mejora las características térmicas. Los dispositivos de diodo Schottky de SiC ofrecen características de semiconductores de potencia de alta tensión ventajosas como mayor intensidad de campo de ruptura y conductividad térmica mejorada, lo que permite mayor niveles de eficiencia. Esta última generación es adecuada para su uso en telecomunicaciones SMPS y servidores de gama alta, SAI, variadores de velocidad de motores, inversores solares, así como aplicaciones PC Silverbox y de iluminación.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos Schottky y Rectificadores.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 250 |
| Precio unitario | 3,584€ |
| Entrega | 30 días |