IDH12SG60CXKSA1 | Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Simple, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220

2 variantes disponibles.

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Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Simple, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Rango de Producto: Serie thinQ 3G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V

Tags: Semiconductores - Discretos, Diodos, Diodos Schottky, Diodos Schottky de Carburo de Silicio.

Mejor precio
Unidades/pack 250
Precio unitario 3,405€
Entrega >30 días

Diodo, IDH12SG60CXKSA1, 12A, 600V, TO-220, 2-Pines

Fabricado por: Infineon
Datasheet

La gama Infineon thinQ!™ de 5 generación ofrece una nueva tecnología de oblea fina para diodos de barrera Schottky de SiC que mejora las características térmicas. Los dispositivos de diodo Schottky de SiC ofrecen características de semiconductores de potencia de alta tensión ventajosas como mayor intensidad de campo de ruptura y conductividad térmica mejorada, lo que permite mayor niveles de eficiencia. Esta última generación es adecuada para su uso en telecomunicaciones SMPS y servidores de gama alta, SAI, variadores de velocidad de motores, inversores solares, así como aplicaciones PC Silverbox y de iluminación.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos Schottky y Rectificadores.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 50
Precio unitario 4,617€
Entrega 30 días