IGB30N60H3ATMA1 | IGBT, IGB30N60H3ATMA1, N-Canal, 30 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3+Tab-Pines Simple

2 variantes disponibles.

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IGBT, IGB30N60H3ATMA1, N-Canal, 30 A, 600 V, D2PAK (TO-263), 3+Tab-Pines Simple

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

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Precio unitario 1,123€
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Transistor Único IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263, 3 Pines

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V Disipación de Potencia Pd: 187W

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 1.000
Precio unitario 1,203€
Stock (packs) 999
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