IPB036N12N3GATMA1 | MOSFET, IPB036N12N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 120 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple

2 variantes disponibles.

Otros nombres: MOSFET, IPB036N12N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 120 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.

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MOSFET, IPB036N12N3GATMA1, N-Canal-Canal, 180 A, 120 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

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Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 120 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3 V

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 120V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

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