IPB067N08N3GATMA1 | Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 80 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.8 V

2 variantes disponibles.

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Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 80 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.8 V

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,715€
Entrega >30 días

MOSFET, IPB067N08N3GATMA1, N-Canal, 80 A, 80 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)

Fabricado por: Infineon

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 500
Precio unitario 1,120€
Entrega 7 días