IPB123N10N3GATMA1 | Transistor MOSFET, Canal N, 58 A, 100 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.7 V

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, IPB123N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 58 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.

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Transistor MOSFET, Canal N, 58 A, 100 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.7 V

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 58A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Entrega y precio
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