IPB180N04S4H0ATMA1 | Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 3 V

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Transistor MOSFET, Canal N, 180 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 3 V

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 180A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

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