IPB60R950C6ATMA1 | Transistor MOSFET, Canal N, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

2 variantes disponibles.

Transistor MOSFET, Canal N, 4.4 A, 600 V, 0.86 ohm, 10 V, 3 V

Fabricado por: Infineon

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

MOSFET, IPB60R950C6ATMA1, N-Canal, 4,4 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)

Fabricado por: Infineon

Datasheet

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.