IPD50R650CEATMA1 | Transistor MOSFET, Canal N, 6.1 A, 500 V, 0.59 ohm, 13 V, 3 V

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, IPD50R650CEATMA1, N-Canal, 6,1 A, 550 V, 3-Pin, DPAK (TO-252).

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Transistor MOSFET, Canal N, 6.1 A, 500 V, 0.59 ohm, 13 V, 3 V

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Entrega y precio
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Precio unitario 0,361€
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