IPN60R2K1CEATMA1 | MOSFET, IPN60R2K1CEATMA1, N-Canal-Canal, 3,7 A, 650 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 CoolMOS CE

2 variantes disponibles.

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MOSFET, IPN60R2K1CEATMA1, N-Canal-Canal, 3,7 A, 650 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 CoolMOS CE

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Mejor precio
Unidades/pack 3 000
Precio unitario 0,133€
Entrega >30 días

Transistor MOSFET, Canal N, 3.7 A, 600 V, 1.89 ohm, 10 V, 3 V

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,133€
Stock (packs) 525
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