IPW65R660CFDFKSA1 | Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V

2 variantes disponibles.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 1 000
Precio unitario 1,222€
Entrega >30 días

MOSFET, IPW65R660CFDFKSA1, N-Canal, 6 A, 700 V, 3-Pin, TO-247

Fabricado por: Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 250
Precio unitario 1,257€
Entrega 7 días