IRF1310NSPBF | Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 100 V, 0.036 ohm, 10 V, 4 V
2 variantes disponibles.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 42A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 000 |
| Precio unitario | 0,627€ |
| Entrega | >30 días |
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 500 |
| Precio unitario | 0,941€ |
| Entrega | 7 días |