IRF3610STRLPBF | MOSFET, IRF3610STRLPBF, N-Canal, 103 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)
1 variante disponible.
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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 1,130€ |
| Entrega | 7 días |