IRF5210SPBF | Transistor MOSFET, Canal P, 40 A, -100 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V
2 variantes disponibles.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 0,876€ |
| Entrega | >30 días |
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 1,066€ |
| Entrega | 30 días |