IRF7341PBF | MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V
2 variantes disponibles.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 000 |
| Precio unitario | 0,348€ |
| Entrega | >30 días |
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 60 |
| Precio unitario | 0,378€ |
| Entrega | 7 días |