2 variantes disponibles.
Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -55V
Tags: Semiconductores - Discretos
, Transistores
, Transistores MOSFET
, Transistores MOSFET Dobles
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Mejor precio | |
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Unidades/pack | 5.000 |
Precio unitario | 0,357€ |
Entrega | >30 días |
Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal P doble.
Tags: Semiconductores
, Semiconductores Discretos
, MOSFET
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Mejor fecha de entrega | |
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Unidades/pack | 20 |
Precio unitario | 0,621€ |
Entrega | 7 días |