IRF7343PBF | MOSFET, IRF7343PBF Dual N/P-Canal, 3,4 A, 4,7 A, 55 V, 8-Pin, SOIC

2 variantes disponibles.

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MOSFET, IRF7343PBF Dual N/P-Canal, 3,4 A, 4,7 A, 55 V, 8-Pin, SOIC

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Mejor precio
Unidades/pack 4.750
Precio unitario 0,298€
Entrega 30 días

MOSFET Doble, Canal N y P, 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 5.000
Precio unitario 0,327€
Stock (packs) 1183
Entrega 7 días